單詞“閃存”現在是大家議論的焦點。 術語“閃存盤”，甚至一年級學生在談話中經常被使用。 該技術以驚人的速度得到普及。 此外，許多分析師預測，在不久的將來閃存將取代基於磁盤的存儲設備。 剩下的只有是觀察開發進度和它的好處。 出人意料的是，許多人來說，講這種新產品，幾乎不知道這樣的閃存。 在一方面，用戶需要將設備的工作，以及它如何執行其職能 - 小事。 然而，至少有必要每一個受過教育的人有基本的了解。
什麼是閃存？
如你所知，計算機有幾種類型的存儲設備：內存，硬盤和 光驅。 最後兩個 - 這是機電解決方案。 但是RAM - 全電子設備。 是一個芯片上的晶體管的集合組裝的專用芯片。 其特點在於，數據只要每個控制鍵的基極被通電存儲的事實。 目前，我們以後仔細看看。 閃存是沒有這個缺點。 沒有外部電壓使用浮柵晶體管解決電荷存儲問題。 在這種裝置中，沒有外部影響的電荷可以保持足夠長的時間（至少10歲）。 為了解釋操作的原則，有必要回顧一下 電子產品的基本知識。
如何做一個晶體管？
這些元素已經變得如此廣泛的應用，這是罕見的，不使用他們。 甚至陳腐 光開關 有時被設定的被驅動的密鑰。 經典的晶體管是如何安排？ 它基於兩個半導體材料，其中一個具有電子導電性（n），並且另一個孔（P）。 為了獲得簡單的晶體管，有必要結合材料，如NPN和每個塊插頭電極。 在一個極端電極（發射極）電壓被施加。 它們可通過改變電位的大小上的平均輸出（鹼）來控制。 去除發生在集電極 - 第三極的接觸。 很明顯，與基極電壓的消失將回到中性狀態。 但是，隨著浮置柵極下面的fleshek稍微不同的晶體管器件：該半導體基體材料的前放置的電介質的薄層和浮柵 - 它們一起形成一個所謂的“口袋”。 當施加正電壓至該晶體管的基極，以通過使對應的電流到邏輯零被打開。 但是，如果門把一個單一的電荷（電子），其中和場基建設的效果-該裝置會拒絕關閉（邏輯單元）。 通過測量發射極和集電極可以確定在浮置柵極上的電荷的存在（或不存在）之間的電壓。 通過使用將在柵極上的電荷 的隧道效應 （ -諾德海姆福勒）。 為了移除需要使高電荷（9）的負電壓和正基極到發射。 充電將離開門。 由於該技術是不斷地發展，已經提出本實施例，並與浮置柵極的常規晶體管相結合。 這允許“擦除”電荷的低電壓，並產生一更緊湊的設備（不需要隔離）。 USB閃存利用這一原理（NAND結構）。
因此，通過這些晶體管中的塊組合，有可能產生其中所記錄的數據不加改變地保留理論上幾十年來的存儲器。 也許現代閃存驅動器的唯一缺點 - 寫週期的限制數量。