FET和它們如何工作

FET是那些半導體器件中，操作原理，其是基於半導體材料的調製的橫向電場的電阻。

這種類型的裝置的顯著特徵是，場效應晶體管具有高的電壓增益和到傳入高電阻。

在創建這些設備的電流只收取相同類型的載流子都參與（電子）。

有兩種類型的FET：

- 具有TIR結構，即金屬，接著是電介質，則半導體（MIS）;

- 與pn結管理。

最簡單的場效應晶體管的結構包括由具有一個pn結僅在邊緣上的中心和歐姆接觸的半導體材料製成的板。

在這樣的裝置中的電極，通過該導電溝道的載流子被稱為源和其上的電極從信道出現的電極 - 漏極。

有時會發生這樣的強大的關鍵設備失靈。因此，任何電子設備的修復過程中，常常需要檢查FET。

要做到這一點，vypayat設備，因為它不會是能夠檢查電子電路上。然後，下面具體說明，進行結算。

場效應晶體管有兩種工作模式 - 動態和關鍵。

晶體管操作 - 是其中所述晶體管是在兩種狀態 - 在完全打開或完全關閉。但該中間狀態下，當該部件是打開的部分不存在。

在理想情況下，當晶體管是“開放的”，即是所謂的飽和模式，端子“漏極”和“源極”零之間的阻抗。

打開狀態電壓期間的功率損耗出現在當前的量的產物（等於零）。因此，功耗為零。

在截止模式時，即當晶體管塊，它的“漏極/源極路徑”推斷之間的電阻趨向於無窮大。在關閉狀態下的功率耗散是跨越等於零的電流值的電壓的乘積。因此，功率損耗= 0。

事實證明，晶體管功耗的主要模式是零。

在實踐中，在打開的晶體管，當然，一些阻力“漏極/源極路徑”將存在。閉合晶體管這些結論目前的低值仍會發生。因此，在該晶體管的靜態模式的功率損耗是最小的。

一個動態，當晶體管被關閉或打開，增強它的線性區域的電流流過晶體管，其中工作點，傳統上是漏極電流的一半。但電壓“匯/源”經常達到最大值的一半。因此，動態分配模式提供巨大的晶體管的功率損耗，這降低了“否”的鍵模式顯著的特性。

但是，反過來，在動態模式下，晶體管的長時間暴露比停留在靜態模式下的長度小得多。其結果是，效率工作在切換模式中的晶體管級，是非常高的，並且可以是93到98個百分點。

其中在上述模式下工作的場效應晶體管，被充分廣泛應用於電力轉換單元，脈衝電源，某些發射機的輸出級，等等。